靜電感應(yīng)屏蔽：用詳細(xì)的金屬屏蔽體將帶正電導(dǎo)體包圍起來，在屏蔽體的里側(cè)將磁感應(yīng)出與通電電導(dǎo)體相等的負(fù)電，兩側(cè)發(fā)生與通電電導(dǎo)體相等的正電，假如將金屬屏蔽體接地裝置，則兩側(cè)的正電將注入地面，兩側(cè)將不容易有靜電場(chǎng)存有，即帶正電導(dǎo)體的靜電場(chǎng)被屏蔽在金屬屏蔽身體。

交變電場(chǎng)屏蔽：為減少交變電場(chǎng)對(duì)比較敏感電源電路的藕合干擾工作電壓，能夠在干擾源和比較敏感電源電路中間設(shè)定導(dǎo)電率好的金屬屏蔽體，并將金屬屏蔽體接地裝置。交變電場(chǎng)對(duì)比較敏感電源電路的藕合干擾工作電壓尺寸在于交變電場(chǎng)工作電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地線電阻之積。只需想方設(shè)法使金屬屏蔽體優(yōu)良接地裝置，便能使交變電場(chǎng)對(duì)比較敏感電源電路的藕合干擾工作電壓越來越不大。靜電場(chǎng)屏蔽以反射面為主導(dǎo)，因而屏蔽體的薄厚無須過大，而以構(gòu)造抗壓強(qiáng)度為關(guān)鍵考慮到要素。

交替變化磁場(chǎng)屏蔽：交替變化磁場(chǎng)屏蔽有高頻率和低頻之分。低頻磁場(chǎng)屏蔽是利用高導(dǎo)磁率的原材料組成低磁電式通道，使絕大多數(shù)磁場(chǎng)被集中化在屏蔽身體。屏蔽體的導(dǎo)磁率越高，薄厚越大，磁電式越小，磁場(chǎng)屏蔽的實(shí)際效果越好。自然要與機(jī)器設(shè)備的凈重相融洽。高頻率磁場(chǎng)的屏蔽是利用高導(dǎo)電率的原材料造成的渦旋的反方向磁場(chǎng)來相抵干擾磁場(chǎng)而完成的。

交替變化電磁場(chǎng)：一般選用導(dǎo)電率高的原材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地裝置。它是利用屏蔽體在高頻率磁場(chǎng)的功效下造成反向的渦旋磁場(chǎng)與原磁場(chǎng)相抵而消弱高頻率磁場(chǎng)的干擾，又因屏蔽體接地裝置而完成靜電場(chǎng)屏蔽。屏蔽體的薄厚無須過大，而以趨膚深度和構(gòu)造抗壓強(qiáng)度為關(guān)鍵考慮到要素。

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