微波暗室參數(shù)微波暗室的電性能指標主要由靜區(qū)的特征來表征。

靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的較大反射電平、交叉極化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標來描述。影響微波暗室性能指標的因素是多元化的，也是很復雜的。在利用光線發(fā)射法和能量物理法對暗室性能進行仿真計算時，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標準天線的方向圖因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實際的工程設計過程中，往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關鍵決定因素。

1）交叉極化度：由于微波暗室結構的不嚴格對稱、吸波材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過程中產(chǎn)生極化不純的現(xiàn)象。如果待測試天線與發(fā)射天線的極化面正交和平行時，所測試場強之比小于-25dB，就認為交叉極化度滿足要求。

2）多路徑損耗：路徑損耗不均勻會使電磁波的極化面旋轉，如果以來波方向旋轉待測試天線，接收信號的起伏不超過±0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。

3）場均勻性：在微波暗室靜區(qū)，沿軸移動待測試天線，要求起伏不超±2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動待測天線，要求接收信號起伏不超過±0.25 dB。